特許

J-GLOBAL ID：200903095199456675

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者： 中尾 広宣
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-280796
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090610
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】 フローティングゲートとコントロールゲート間の静電容量を大きくすることにより、信号電荷の書き込み/消去効率を高める。【構成】 凹状のフローティングゲート3、絶縁膜7、および凸状のコントロールゲート8を積層形成することにより、絶縁膜7の面積を広め、フローティングゲート3とコントロールゲート7間の静電容量を大きくする。これにより、コントロールゲート8に高電圧が印加された際に、ゲート酸化膜2に高い分圧値が作用し、信号電荷の書き込み/消去効率を高められる。

請求項（抜粋）：

フローティングゲート構造を持つ不揮発性半導体記憶装置において、フローティングゲートおよびコントロールゲートの何れか一方のゲートが凸状であるとともに、他方のゲートが凹状であり、前記両ゲート間に絶縁膜が介在していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-154070
  
• 特開昭63-229860
  
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-245270   出願人：三菱電機株式会社