特許
J-GLOBAL ID：200903063787370311
真空処理装置及び該装置により目的処理物を得る方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-028199
公開番号（公開出願番号）：特開平9-022899
出願日： 1996年02月15日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 真空処理装置で、被処理物が支持台支持面へ密着しているか否かを判断する。【構成】 真空処理容器1内に設置され、支持面201が電気絶縁性膜20で形成された被処理物支持台2と、面201から出入するペディスタル22とを備え、これで被処理物Sを受け取り、面201に載置し、容器1内に処理用ガスを導入、台2に高周波電圧及び直流電圧を印加して該ガスをプラズマ化するとともに処理物Sを面201に静電吸着保持する真空処理装置で、静電吸着保持状態測定装置Mを備えた。
請求項（抜粋）：
真空処理容器内に設置され、被処理物支持面を有する被処理物支持台と、該支持台に嵌挿され、該支持台の前記被処理物支持面から出没可能の被処理物昇降搬送用のペディスタルとを備え、被処理物を前記ペディスタルによりその上昇位置で受け取り、その下降にて前記被処理物支持面に載置し、前記容器内に処理用ガスを導入し、且つ、該容器内を所定の処理真空度として前記被処理物支持台に高周波電圧及び直流電圧を印加することで該ガスをプラズマ化するとともに該被処理物を該支持面に静電吸着保持しつつ、該プラズマのもとで該被処理物に目的とする処理を施す真空処理装置であり、前記被処理物支持面に吸着保持される被処理物に対し前記ペディスタルを上昇させて所定の押圧力を加えたときにおける該ペディスタルの上昇度合いを検出することで該被処理物の前記支持面への静電吸着保持状態を測定する手段を設けたことを特徴とする真空処理装置。
IPC (6件)：
H01L 21/3065
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/31
, H01L 21/68
H01L 21/302 C
, C23C 16/50
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H01L 21/31 C
, H01L 21/68 R
