特許
J-GLOBAL ID：200903063809061563
ハーフトーン方式位相シフトマスクの作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-173587
公開番号（公開出願番号）：特開平8-015852
出願日： 1994年07月01日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】高いパターニング形成精度を有し、且つ半遮光領域を通過した光と光透過領域を通過した光の位相差にばらつきが生じ難いハーフトーン方式位相シフトマスクの作製方法を提供する。【構成】ハーフトーン方式位相シフトマスクの作製方法は、(イ)透明材料から成る基板10の表面(おもてめん)上にパターニングされた半遮光層20を形成する工程と、(ロ)半遮光層20上を含む基板10の表面(おもてめん)に位相シフト層22を形成し、次いで、位相シフト層22上にレジスト層32を形成する工程と、(ハ)基板10の裏面から光を照射してレジスト層32を露光した後、レジスト層32を現像し、レジスト層32をパターニングする工程と、(ニ)パターニングされたレジスト層32をマスクとして、位相シフト層22をエッチングする工程、から成る。
請求項（抜粋）：
(イ)透明材料から成る基板の表面上にパターニングされた半遮光層を形成する工程と、(ロ)半遮光層上を含む基板の表面に位相シフト層を形成し、次いで、該位相シフト層上にレジスト層を形成する工程と、(ハ)基板の裏面から光を照射してレジスト層を露光した後、レジスト層を現像し、レジスト層をパターニングする工程と、(ニ)パターニングされたレジスト層をマスクとして、位相シフト層をエッチングする工程、から成ることを特徴とするハーフトーン方式位相シフトマスクの作製方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 528
