特許

J-GLOBAL ID：200903063849165809

薄膜トランジスタ装置及び薄膜トランジスタ装置の製造方法

発明者： 日野 隆
出願人/特許権者： 東芝電子エンジニアリング株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-065888
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261801
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 薄膜トランジスタにて、製造過程で混入される不純物による特性の劣化を防止し、大画面、高密度、高精細の液晶表示装置への適用可能な高信頼性の高い薄膜トランジスタを得る。【解決手段】 ガラス基板11上にてチャネル領域18及びゲート電極17との間に介在されるゲート絶縁膜17を、低イオン濃度部16a及び高イオン濃度部16bと成るようリン(P)イオンをドーピングして成る酸化シリコン(SiO2 )膜にて形成し、混入されたナトリウム(Na)イオン等の不純物を可動しないようトラップし、不純物がチャネル領域18に与える影響を低減し、p-SiTFT10の特性の劣化を防止する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成され半導体材料からなるチャネル領域及びゲート電極の間にゲート絶縁膜を介して成る薄膜トランジスタ装置において、前記ゲート絶縁膜が、ボロン(B)及びリン(P)の混合イオン、もしくはリン(P)イオンを含有する酸化シリコン(SiO2 )膜から成る事を特徴とする薄膜トランジスタ装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 617 T ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 617 V

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-177765
  
• 半導体装置とその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-038637   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタ、その製造方法および液晶表示素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-056939   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-177765