薄膜トランジスタ、その製造方法および液晶表示素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：樺澤襄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-056939
公開番号（公開出願番号）：特開平8-254713
出願日： 1995年03月16日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】特性、安定性、絶縁性、歩留およびプロセス整合性に優れた薄膜トランジスタを提供する。【構成】ガラス基板1の一主面上にゲート電極2を形成する。ゲート電極2上に、酸窒化シリコン(SiOx Ny )膜3a、窒化シリコン(SiNx )膜3bを積層形成し、2層でゲート絶縁膜3とする。ゲート絶縁膜3上に、a-Si膜4を積層形成する。a-Si膜4上に、SiNx 膜を積層して、チャネル保護膜5を形成する。ゲート絶縁膜3上にITO(Indium Tin Oxide)の画素電極7が形成する。低抵抗半導体膜6のソース領域上には、画素電極7と接続した状態でソース電極8を形成し、ドレイン領域上にはドレイン電極9を形成し、保護膜10を積層形成し、能動素子基板12となる。

請求項（抜粋）：

ゲート絶縁膜上に活性層を形成し、この活性層に非単結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁膜は、酸窒化シリコン膜および窒化シリコン膜の積層膜にて形成され、この窒化シリコン膜が前記非単結晶シリコンに接していることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/786

FI (2件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/78 617 T

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-044274
特開平4-304677
特開平1-162375

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