特許

J-GLOBAL ID：200903063850189797

位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク

発明者： 三ツ井 英明 ,  松本 研二 ,  山口 洋一
出願人/特許権者： ホーヤ株式会社
代理人 (1件)： 中村 静男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-323845
公開番号（公開出願番号）：特開平7-181664
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】 簡単な膜構成により電子線描画時の電荷蓄積や静電気による帯電を防止できるハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びこれを素材としたハーフトーン型位相シフトマスクを提供する。【構成】 透明基板上に光半透過膜を有し、この光半透過膜が、遷移金属とケイ素とを少なくとも含む膜からなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクおよびこの位相シフトマスクブランクの光半透過膜に、所定のパターンにしたがってその一部を除去するパターニング処理を施すことにより、光透過部と光半透過部とからなるマスクパターンを形成したことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。

請求項（抜粋）：

透明基板上に光半透過膜を有し、この光半透過膜が、遷移金属とケイ素とを少なくとも含む膜からなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  G03F 1/14 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-285327   出願人：アルバック成膜株式会社, 三菱電機株式会社