ウェ-ハの面取り方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安倍逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-030493
公開番号（公開出願番号）：特開平11-207585
出願日： 1998年01月27日
公開日（公表日）： 1999年08月03日
要約：

【要約】【課題】ウェーハ面取り用砥石の砥石寿命を長くでき、しかも半導体ウェーハの外周部の面取りの形状安定に伴う加工精度を持続でき、さらに半導体ウェーハの面取り面の面粗度を小さくできるウェーハの面取り方法を提供する。【解決手段】半導体ウェーハWの外周部を、回転中の砥石10に押し当てて面取りする。この際、半導体ウェーハWの外周部および砥石10を、この押し当て面に沿って相対的に移動させる。これにより、砥石10の研削作用面が固定されない。この結果、従来、砥石10の押し当て境界部分に発生していた形状崩れが起きにくくなり、このウェーハ面取り用の砥石10の砥石寿命を向上できるとともに、半導体ウェーハWの面取りの加工精度が持続し、さらに半導体ウェーハWの面粗度も高められる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの外周部を、回転中の砥石に押し当てて面取りする方法において、上記半導体ウェーハの外周部および砥石を、この押し当て面に沿って相対的に移動させながら面取りするウェーハの面取り方法。

IPC (2件)：

B24B 9/00 601 , H01L 21/304 621

FI (2件)：

B24B 9/00 601 H , H01L 21/304 621 E

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体ウエハの面取方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-329141 出願人：株式会社東京精密
特開昭57-173447
特開平2-292164

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