特許

J-GLOBAL ID：200903063894941143

炭化珪素単結晶の製造方法

発明者： 恩田 正一 ,  小野田 隆 ,  岡本 篤人 ,  杉山 尚宏
出願人/特許権者： 株式会社デンソー ,  株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 伊藤 求馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-221099
公開番号（公開出願番号）：特開2000-044393
出願日： 1998年07月21日
公開日（公表日）： 2000年02月15日
要約：

【要約】【課題】 炭化珪素単結晶基板の内部に存在するマイクロパイプ欠陥を塞ぎ、欠陥の少ない炭化珪素単結晶を得る。【解決手段】 マイクロパイプ欠陥3を有する炭化珪素単結晶基板2の両面に接して、原料となる炭化珪素基板、特に炭化珪素単結晶基板2と結晶形の異なる炭化珪素基板1a、1bを配置し、るつぼ6内で熱処理を行うと、マイクロパイプ欠陥3内で炭化珪素蒸気が再結晶化し、マイクロパイプ欠陥3が閉塞する。

請求項（抜粋）：

マイクロパイプ欠陥を有する炭化珪素単結晶基板の一方の面または両面に接して、炭化珪素基板を配置し、熱処理を行って、上記マイクロパイプ欠陥を閉塞することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

Fターム (5件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CA03 ,  4G077FE08 ,  4G077HA12

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 単結晶SiCおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-172017   出願人：日本ピラー工業株式会社