特許
J-GLOBAL ID：200903063895520001
酸化膜耐圧特性に優れたシリコン単結晶の製造方法および製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
穂上 照忠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-259508
公開番号（公開出願番号）：特開平7-157391
出願日： 1993年10月18日
公開日（公表日）： 1995年06月20日
要約：
【要約】【目的】引上げ中、シリコン単結晶の温度勾配の調整により熱履歴を改善し、引上げ速度を低下させることなく、酸化膜耐圧特性に優れたシリコン単結晶を製造する方法および装置の提供。【構成】(1) 坩堝1の外側に配設した加熱ヒーター2で坩堝内の結晶原料を溶融させ、この溶融液4から上方に0.8mm/min を超える速度で結晶3を引き上げていくことにより結晶を成長させる方法において、成長した結晶3が少なくとも1250°C以上の温度領域にあるとき、結晶の長さ1mm当たり2.5 °C以下の平均温度勾配を与えるシリコン単結晶の製造方法。(2) 坩堝1の外側に配置された加熱ヒーター2と、坩堝内の結晶原料の溶融液4から単結晶を引上げる手段とを具備する製造装置において、上記加熱ヒーターの上端Sの高さ方向位置が坩堝内の溶融液4面水準の+100mm から-100mm の範囲内にあり、かつ、加熱ヒーター2の長さ(h)と坩堝1内径(φ)の比を0.2〜0.8 としたシリコン単結晶の製造装置。
請求項（抜粋）：
坩堝の外側に配設した加熱ヒーターで坩堝内の結晶原料を溶融させ、この溶融液から上方に0.8mm/min を超える速度で結晶を引き上げていくことにより結晶を成長させる方法において、成長した結晶が1250°C以上の温度領域にあるとき、結晶の長さ1mm当たり2.5 °C以下の平均温度勾配を与えることを特徴とする酸化膜耐圧特性に優れたシリコン単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 15/20
, C30B 29/06
, C30B 29/06 502
