特許

J-GLOBAL ID：200903063902534773

薄膜コンデンサの製造方法

発明者： 齋田 仁 ,  内田 清志 ,  堀野 賢治 ,  相澤 英里
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  青木 博昭
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2006315012
公開番号（公開出願番号）：WO2007-013604
出願日： 2006年07月28日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：

本発明では、チタン酸バリウムストロンチウム薄膜の容量密度の向上及びリーク電流密度の低減を同時に実現することが可能な薄膜コンデンサの製造方法を提供することを目的とする。有機誘電体原料を焼成してチタン酸バリウムストロンチウム薄膜を形成する金属酸化物薄膜形成工程を有する薄膜コンデンサの製造方法において、焼成雰囲気を酸素含有不活性ガス雰囲気として、酸素雰囲気中で焼成したチタン酸バリウムストロンチウム薄膜の容量密度よりも大きい容量密度を有するチタン酸バリウムストロンチウム薄膜を形成する製造方法が提供される。

請求項（抜粋）：

下部電極を基板上に形成する下部電極形成工程と、Ba系有機誘電体原料、Sr系有機誘電体原料及びTi系有機誘電体原料を含有する原料液を前記下部電極の表面に塗布する原料液塗布工程と、前記下部電極の表面に塗布した前記原料液に含有される前記有機誘電体原料を焼成してチタン酸バリウムストロンチウム薄膜を形成する金属酸化物薄膜形成工程と、前記チタン酸バリウムストロンチウム薄膜の表面上に上部電極を形成する上部電極形成工程と、を有する薄膜コンデンサの製造方法において、 前記チタン酸バリウムストロンチウム薄膜は組成式: (Ba1-xSrx)yTiO3(但し、0<x<1、y≦1) で表記される組成を有し、且つ、 前記金属酸化物薄膜形成工程における前記チタン酸バリウムストロンチウム薄膜の焼成雰囲気を酸素含有不活性ガス雰囲気として、焼成雰囲気を酸素雰囲気として形成されたチタン酸バリウムストロンチウム薄膜の容量密度よりも大きい容量密度を有するチタン酸バリウムストロンチウム薄膜を形成する、薄膜コンデンサの製造方法。

IPC (2件)：

H01G 4/12 ,  H01G 4/33

FI (2件)：

H01G4/12 400 ,  H01G4/06 102

Fターム (16件)：

5E001AB06 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AH01 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ02 ,  5E082AB10 ,  5E082BC40 ,  5E082EE05 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG46 ,  5E082LL40 ,  5E082PP03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 誘電体薄膜の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-236475   出願人：富士通株式会社