特許
J-GLOBAL ID：200903063934651348

構造体

発明者：
八百 隆文

八百 隆文 について

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▲チョ▼ 明煥

▲チョ▼ 明煥 について


出願人/特許権者：
株式会社 東北テクノアーチ

株式会社 東北テクノアーチ について

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古河機械金属株式会社

古河機械金属株式会社 について

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三菱化学株式会社

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DOWAエレクトロニクス株式会社

DOWAエレクトロニクス株式会社 について

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エピバレー株式会社

エピバレー株式会社 について


代理人 (4件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-272321
公開番号（公開出願番号）：特開2008-088026
出願日： 2006年10月03日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：
【課題】III族窒化物半導体の結晶層の転位密度を低減できる構造体を提供する。【解決手段】下地基板と、前記下地基板の上に形成され、三角錐形状の複数の微結晶部を有するクロム窒化物膜とを備え、前記クロム窒化物膜の三角錐形状の微結晶部は、1辺の長さが10nm以上300nm以下であり、(111)面を底面とし、{100}面群を他のファセット面とする構造体であって、前記クロム窒化物膜の各前記微結晶部を成長核に、前記{100}面群のそれぞれからIII族窒化物半導体が横方向成長して形成される。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
下地基板と、 前記下地基板の上に形成され、三角錐形状の複数の微結晶部を有するクロム窒化物膜と、 を備えたことを特徴とする構造体。
IPC (2件)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
C30B29/38 D ,  H01L21/205
Fターム (24件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TC13 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK11 ,  5F045AA04 ,  5F045AA20 ,  5F045AB14 ,  5F045AB40 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA61
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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