特許
J-GLOBAL ID：200903070012446210

発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板ならびに光源セルユニットならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法

発明者：
大前 暁

大前 暁 について

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塩見 治典

塩見 治典 について

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風田川 統之

風田川 統之 について

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網 隆明

網 隆明 について

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宮嶋 孝夫

宮嶋 孝夫 について

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平松 雄司

平松 雄司 について

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畑田 出穂

畑田 出穂 について

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岡野 展賢

岡野 展賢 について

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冨谷 茂隆

冨谷 茂隆 について

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簗嶋 克典

簗嶋 克典 について

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日野 智公

日野 智公 について

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成井 啓修

成井 啓修 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-215342
公開番号（公開出願番号）：特開2007-116097
出願日： 2006年08月08日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：
【課題】発光効率が極めて高く、しかも一度のエピタキシャル成長により低コストで製造することができる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。【解決手段】サファイア基板などの基板11の一主面にこの基板11と異なる材料、例えばSiO2 膜により凸部12を形成し、凸部12の間の凹部13に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て窒化物系III-V族化合物半導体層15を成長させた後、この窒化物系III-V族化合物半導体層15から横方向成長を行う。凸部12の断面形状は例えば三角形または台形とする。この窒化物系III-V族化合物半導体15上に、活性層を含む窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させて発光ダイオード構造を形成する。この発光ダイオードを用いて発光ダイオードバックライトなどを製造する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一主面に複数の凸部を有する基板であって当該凸部は当該基板と異なる材料からなるものを用い、当該基板の凹部に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て第1の窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させる工程と、 上記第1の窒化物系III-V族化合物半導体層から上記基板上に第2の窒化物系III-V族化合物半導体層を横方向成長させる工程と、 上記第2の窒化物系III-V族化合物半導体層上に第1の導電型の第3の窒化物系III-V族化合物半導体層、活性層および第2の導電型の第4の窒化物系III-V族化合物半導体層を順次成長させる工程と を有することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  C30B 29/38
FI (3件)：
H01L33/00 C ,  H01L21/205 ,  C30B29/38 D
Fターム (32件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EE05 ,  4G077EE07 ,  4G077HA02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC16 ,  4G077TC19 ,  5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CB22 ,  5F041FF11 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DB02 ,  5F045HA03
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (4件)
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