特許
J-GLOBAL ID：200903063935206135
金属カルボニル前駆体から金属層を堆積する方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-543036
公開番号（公開出願番号）：特表2008-520834
出願日： 2005年10月03日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：
一酸化炭素ガス及び希釈ガスを用いる金属カルボニル前駆体(52、152)からの金属層(440、460)の堆積速度を増加する方法(300)及び堆積システム(1、100)に関する。この方法(300)は、堆積システム(1、100)のプロセスチャンバ(10、110)に基板(25、125、400、402)を用意し、金属カルボニル前駆体の気相原料と一酸化炭素ガスとを含むプロセスガスを生成し、プロセスチャンバ(10、110)においてプロセスガスを希釈し、基板(25、125、400、402)を希釈されたプロセスガスに晒して、熱化学気相堆積プロセスにより、基板に金属層(440、460)を堆積する。堆積システム(1、100)は、気相原料分散システム(30、130)を有するプロセスチャンバ(10、110)で基板(25、125、400、402)を支持し加熱するよう構成される基板ホルダ(20、120)と、金属カルボニル前駆体の気相原料と一酸化炭素ガスとを含むプロセスガスを生成し、これを気相原料分散システム(30、130)へ導入するよう構成される前駆体供給システム(105)と、プロセスチャンバ(10、110)にてプロセスガスに希釈ガスを加えるよう構成される希釈ガス源(37、137)と、基板(25、125、400、402)を希釈プロセスガスに晒して金属層(440、460)を熱化学気相堆積プロセスにより堆積する間、堆積システム(1、100)を制御するよう構成される制御器(165)とを含む。
請求項（抜粋）：
基板に金属層を堆積する方法であって:
堆積システムのプロセスチャンバに基板を用意する工程;
金属カルボニル前駆体の気相原料と一酸化炭素ガスとを含むプロセスガスを生成する工程;
前記プロセスガスを前記プロセスチャンバに導入する工程;
前記プロセスチャンバにおいて、前記プロセスガスに対して希釈ガスを加えて希釈プロセスガスを生成する工程;および
前記基板を前記希釈プロセスガスに晒して、熱化学気相堆積プロセスにより、前記基板に金属層を堆積する工程;
を備える方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (21件)：
4K030AA06
, 4K030AA12
, 4K030AA14
, 4K030AA17
, 4K030BA01
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA01
, 4K030EA04
, 4K030FA10
, 4K030JA05
, 4K030JA06
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030LA15
, 4M104BB04
, 4M104BB13
, 4M104BB16
, 4M104BB18
, 4M104DD43
, 4M104DD45
出願人引用 (1件)
-
米国特許出願公開第2006/0110530号明細書
審査官引用 (2件)
-
成膜方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-322924
出願人：東京エレクトロン株式会社
-
成膜方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-367073
出願人：東京エレクトロン株式会社
前のページに戻る
