特許

J-GLOBAL ID：200903049531780463

成膜方法

発明者： 山▲崎▼ 英亮 ,  波多野 達夫 ,  河野 有美子
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-367073
公開番号（公開出願番号）：特開2004-197163
出願日： 2002年12月18日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：

【課題】金属カルボニル原料を使ったCVD法による金属膜の成膜方法において、成膜時のインキュベーションタイムを減少させる。【解決手段】金属カルボニル化合物を原料とする金属膜の成膜方法であって、反応性ガスを被処理基板表面近傍の空間に導入する第1の工程と、前記第1の工程の後、前記金属カルボニル化合物を含む気相原料を前記被処理基板表面の空間に導入し、前記被処理基板表面に金属膜を堆積する第2の工程とを有し、前記第1の工程では前記被処理基板上に前記金属膜の実質的な堆積が生じないように実行されることを特徴とする成膜方法。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

金属カルボニル化合物を原料とする金属膜の成膜方法であって、 反応性ガスを被処理基板表面近傍の空間に導入する第1の工程と、 前記第1の工程の後、前記金属カルボニル化合物を含む気相原料を前記被処理基板表面の空間に導入し、前記被処理基板表面に金属膜を堆積する第2の工程とを有し、 前記第1の工程は、前記被処理基板上に前記金属膜の実質的な堆積が生じないように実行されることを特徴とする成膜方法。

IPC (4件)：

C23C16/18 ,  C23C16/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

FI (5件)：

C23C16/18 ,  C23C16/02 ,  H01L21/28 A ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 C

Fターム (22件)：

4K030AA12 ,  4K030BA01 ,  4K030BA05 ,  4K030BA12 ,  4K030BA20 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104EE02 ,  4M104EE14 ,  4M104HH09 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭59-209642
  
• W(CO)6からのタングステン膜の堆積方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-266507   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 一連の堆積技術を用いる耐火性金属層を堆積する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-534647   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-205516   出願人：東京エレクトロン株式会社