特許
J-GLOBAL ID：200903063950572814

差分スパッタリング速度を減少する装置及び方法

発明者：
ファネウフ,マイケル ダブリュ

ファネウフ,マイケル ダブリュ について

, 
リ,ジエン

リ,ジエン について


出願人/特許権者：
フェイ カンパニ

フェイ カンパニ について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-566177
公開番号（公開出願番号）：特表2003-526739
出願日： 2001年03月12日
公開日（公表日）： 2003年09月09日
要約：
【要約】本発明は、結晶材料における集束イオンビーム(FIB)の差分スパッタリング速度を減らすことに関わる。集積回路では、銅ベースの相互接続部がアルミニウムベースの相互接続部を置き換え始めている。不運にも、銅のFIBスパッタリングは、粒の向きに基づくミリング速度における大きい変化のため、公知のアルミニウム合金に対するスパッタリングよりも困難である。このような元素をより均一にミリングする改善されたミリング技法に対する必要性を満たすためには、本発明によると、結晶構造の表面上に犠牲層を適用し、次に適用された層にイオンビームを投射することを結晶構造が所定のレベルまで除去又は減少され、従って、イオンビームの投射中に結晶構造の表面から原子がより均一に除去されるまで好ましくは繰り返し処理で行われることが提案される。
請求項（抜粋）：
ターゲットの域から材料を除去する方法であって、 上記ターゲットの上記域の上に層を形成し、 材料を除去するために上記ターゲットの上記域の方にイオンビームを方向付け、 上記形成された層は、上記イオンビームによる上記材料の除去の均一性を高めるために上記イオンビームと相互に作用する方法。
IPC (4件)：
C23F 4/04 ,  B23K 15/00 508 ,  H01L 21/302 201 ,  H01L 21/3205
FI (4件)：
C23F 4/04 ,  B23K 15/00 508 ,  H01L 21/302 201 B ,  H01L 21/88 Z
Fターム (38件)：
4E066BA13 ,  4K057DA20 ,  4K057DB01 ,  4K057DB03 ,  4K057DB08 ,  4K057DC10 ,  4K057DD04 ,  4K057DE20 ,  4K057DG18 ,  4K057DG20 ,  4K057DM16 ,  4K057DM21 ,  4K057DM38 ,  4K057DN01 ,  5F004AA09 ,  5F004BA17 ,  5F004BB18 ,  5F004BB24 ,  5F004BD04 ,  5F004CA01 ,  5F004CB05 ,  5F004DB08 ,  5F004EA39 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004FA04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH17 ,  5F033HH19 ,  5F033PP02 ,  5F033PP10 ,  5F033PP31 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ53 ,  5F033XX36
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開平4-186831
  • 特開平4-080367
  • 金属パターン膜形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-162963   出願人：セイコー電子工業株式会社

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