特許
J-GLOBAL ID：200903063983929343
ネガ型レジスト組成物、レジストパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-093727
公開番号（公開出願番号）：特開2001-343748
出願日： 2001年03月28日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：
【要約】【課題】 塩基性水溶液で現像して、実用可能な感度を有していて膨潤のない微細パターンを形成できるレジスト組成物を提供すること。【解決手段】 ネガ型レジスト組成物において、アルカリ可溶性樹脂の構造中もしくはアルカリ可溶性樹脂に併用される化合物の構造中に、次式(1)で表されるオキセタン構造:【化1】が含まれるように構成する。
請求項（抜粋）：
アルカリ可溶性樹脂を基材樹脂として含むネガ型レジスト組成物であって、前記アルカリ可溶性樹脂の構造中もしくは前記アルカリ可溶性樹脂に併用される化合物の構造中に、次式(1)で表されるオキセタン構造:【化1】が含まれることを特徴とするネガ型レジスト組成物。
IPC (5件)：
G03F 7/038 601
, C08K 5/00
, C08L 83/06
, C08L101/06
, G03F 7/075 521
G03F 7/038 601
, C08K 5/00
, C08L 83/06
, C08L101/06
, G03F 7/075 521
