特許

J-GLOBAL ID：200903063990017490

検査システム、及び、欠陥解析装置

発明者： 藤田 浩美 ,  神本 修司 ,  磯貝 静志 ,  小野 眞 ,  佐伯 圭一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-142078
公開番号（公開出願番号）：特開2005-317984
出願日： 2005年05月16日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：

【課題】 欠陥の解析を容易にし、欠陥の原因究明が困難になるのを防止する。【解決手段】 ひとつの欠陥に複数の検査データに対する複数の分類情報を登録可能とし、解析対象である欠陥の分類情報を任意に選択可能とした。また、ひとつの欠陥について複数の検査装置による検査データを登録可能とし、解析対象である欠陥の分類情報を任意に選択可能とした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体デバイスの製造工程における欠陥を検出する複数の検査装置と、 前記欠陥を複数のカテゴリに分類する欠陥分類装置と、 前記欠陥分類装置で分類された欠陥を、少なくとも該欠陥の位置情報とともに、前記複数の検査装置毎に記憶する記憶装置と、 前記欠陥分類装置により複数のカテゴリに分類された分類情報を、前記検査装置毎に表示する表示装置と を備えたことを特徴とする検査システム。

IPC (2件)：

H01L21/66 ,  H01L21/02

FI (2件)：

H01L21/66 J ,  H01L21/02 Z

Fターム (9件)：

4M106AA01 ,  4M106BA20 ,  4M106CA38 ,  4M106CA39 ,  4M106CA42 ,  4M106DA15 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21 ,  4M106DJ23

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体ウェハの不良解析装置及び不良解析方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-101181   出願人：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
• 被検査パターンの検査方法及び製造プロセス診断方法並びに半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-285368   出願人：株式会社日立製作所