チタン膜及びチタンナイトライド膜の連続成膜方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-207305
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075911
出願日： 1996年10月01日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】コンタクト抵抗が小さく、バイプロダクトによる汚染も防止することができるチタン膜及びチタンナイトライド膜の連続成膜方法を提供する。【解決手段】被処理体2の表面に、チタン膜10と、チタンナイトライド膜12を連続的に成膜する方法において、前記被処理体の表面にチタン膜を成膜するチタン成膜工程と、前記チタン膜の表面を還元ガスとアンモニアガスの雰囲気下でプラズマ処理することにより窒化させるチタン窒化工程と、表面が窒化された前記チタン膜上にチタンナイトライド膜を成膜するチタンナイトライド成膜工程とを備えるようにする。これにより、コンタクト抵抗の低減及びバイプロダクトによる汚染の低減を図る。

請求項（抜粋）：

被処理体の表面に、チタン膜と、チタンナイトライド膜を連続的に成膜する方法において、前記被処理体の表面にチタン膜を成膜するチタン成膜工程と、前記チタン膜の表面を還元ガスとアンモニアガスとを含む雰囲気下でプラズマ処理することにより窒化させるチタン窒化工程と、表面が窒化された前記チタン膜上にチタンナイトライド膜を成膜するチタンナイトライド成膜工程とを備えたことを特徴とするチタン膜及びチタンナイトライド膜の連続成膜方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 301 , H01L 21/285 , C23C 16/14 , C23C 16/34 , H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/285 301 R , H01L 21/285 C , C23C 16/14 , C23C 16/34 , H01L 21/90 C

Fターム (33件)：

4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA18 , 4K030BA38 , 4K030CA04 , 4K030FA01 , 4K030LA15 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104DD43 , 4M104DD46 , 4M104DD86 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH15 , 5F033JJ08 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033NN03 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP01 , 5F033PP04 , 5F033PP06 , 5F033PP07 , 5F033QQ90 , 5F033QQ98 , 5F033XX09

引用特許：

審査官引用 (1件)

バリア層の形成方法、およびこれにより形成されたバリア層を有する半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-050256 出願人：ソニー株式会社

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