特許

J-GLOBAL ID：200903064046487110

半導体装置およびその製造方法

発明者： 両角 幸男
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-026367
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217242
出願日： 2000年02月03日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】【課題】 ダマシン法によって配線層が形成される半導体装置の製造方法において、工程数の増加を伴うことなく、簡易な方法によって多層構造のボンディングパッド部を形成できる製造方法、および半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、少なくとも最上の配線層がダマシン法によって形成され、以下の工程(a)〜(e)を含む。(a)最上の配線層が形成されるための最上の絶縁層22を形成する工程、(b)最上の絶縁層22に所定パターンの配線層のための配線溝およびボンディングパッド部のための開口部を形成する工程、(c)配線層のための第1の導電層を成膜する工程、(d)第1の導電層の上に、該第1の導電層と異なる材質の第2の導電層を形成する工程、および(e)第2の導電層、第1の導電層および絶縁層を平坦化することにより、配線溝に第1の導電層からなる配線層62を形成し、かつ、ボンディングパッド部80のための開口部内に、第1の導電層からなるベース導電層82と、第2の導電層からなる露出導電層84とを形成する工程。

請求項（抜粋）：

少なくとも最上の配線層がダマシン法によって形成され、以下の工程(a)〜(e)を含む、半導体装置の製造方法。(a)最上の配線層が形成されるための絶縁層を形成する工程、(b)前記絶縁層に所定パターンの配線層のための配線溝およびボンディングパッド部のための開口部を形成する工程、(c)前記配線層のための第1の導電層を成膜する工程、(d)前記第1の導電層の上に、該第1の導電層と異なる材質の第2の導電層を形成する工程、および(e)前記第2の導電層、前記第1の導電層および前記絶縁層の余分な部分を除去して、該第2の導電層、該第1の導電層および該絶縁層を平坦化することにより、前記配線溝に少なくとも第1の導電層を有する配線層を形成し、かつ、前記ボンディングパッド部のための前記開口部内に、第1の導電層からなるベース導電層と、第2の導電層からなる露出導電層とを含むボンディングパッド部を形成する工程。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/60 301

FI (2件)：

H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/88 T

Fターム (49件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS08 ,  5F033SS10 ,  5F033SS11 ,  5F033SS12 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033VV07 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34 ,  5F044EE06 ,  5F044EE21

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-003063   出願人：松下電子工業株式会社