特許
J-GLOBAL ID：200903064062835412

半導体装置

発明者：
小路 博之

小路 博之 について

, 
千田 昌男

千田 昌男 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について

, 
日本電気エンジニアリング株式会社

日本電気エンジニアリング株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-367874
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196005
出願日： 1998年12月24日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】封止樹脂底面からリードを露出させた構造の樹脂封止型半導体装置において、リード10の外部端子部13と封止樹脂20との境界部P部での外部端子部の下面13b上への薄バリの発生を抑制する。【解決手段】リ-ド10の連結部12が外部端子部13と接続する第1の端部の外部端子部の下面13b側の面に連結部12の幅全体を横断する凹部を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体チップと、この半導体チップと電気的に接続されているリードと、前記半導体チップ及び少なくとも前記リードの一部を封止する封止樹脂とを含む半導体装置において、前記リードは少なくとも、前記半導体チップと電気的に接続される内部端子部と、前記半導体装置を回路基板に実装する際にこの回路基板上の導体に接続される外部端子部と、前記内部端子部と前記外部端子部とを連結する連結部とを含んでなり、この連結部の前記外部端子部と接続している第1の端部に前記連結部を幅方向に横断する凹部を有し、少なくとも前記半導体チップと前記リードの前記内部端子部と前記凹部を含む前記連結部と前記外部端子部の一部が前記封止樹脂に封止され且つ前記外部端子部の下面は前記封止樹脂の底面に露出していることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/50 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28
FI (3件)：
H01L 23/50 R ,  H01L 21/56 H ,  H01L 23/28 A
Fターム (15件)：
4M109AA01 ,  4M109BA02 ,  4M109CA21 ,  4M109FA04 ,  5F061AA01 ,  5F061BA02 ,  5F061CA21 ,  5F061DD12 ,  5F061DD13 ,  5F061EA03 ,  5F067AA01 ,  5F067AA09 ,  5F067AB04 ,  5F067BA08 ,  5F067DE01
引用特許：
審査官引用 (2件)

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