特許

J-GLOBAL ID：200903064074039557

半導体力学量センサ及びその製造方法

発明者： 石王 誠一郎
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-101370
公開番号（公開出願番号）：特開平11-298011
出願日： 1998年04月13日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 簡単な製造プロセスで半導体力学量センサを製造できるようにする。【解決手段】 シリコン基板40を用意し、シリコン基板40の所定領域に拡散層40aを形成する。次に、拡散層40aを含むシリコン基板40の上にシリコン酸化膜41を形成する。このシリコン酸化膜41の所定領域に拡散層40aとコンタクトを取るための開口部を設け、開口部を含むシリコン酸化膜41上にポリシリコン膜45を成膜する。そして、シリコン基板46を用意し、ポリシリコン膜45の表面にシリコン基板46を貼り合わせたのち、シリコン基板46及びポリシリコン膜45の所定領域をエッチング除去し、梁構造体2Aと固定部2Bとを分離させる。その後、シリコン酸化膜41をエッチング除去して、梁構造体2Aをシリコン基板40からリリースさせて可動とする。

請求項（抜粋）：

基板(1)と、前記基板上に第1のアンカー部(3a、3b)によって支持され、可動電極(7a、7b、8a、8b)を有し、力学量により変位する梁構造体(2A)と、前記基板上に第2のアンカー部(10a、10b、12a、12b、14a、14b、16a、16b)によって固定され、前記可動電極と対向して配置された固定電極(9a、9b、11a、11b、13a、13b、15a、15b)とを備えた半導体力学量センサの製造方法において、前記基板として第1のシリコン基板(40)を用意し、該第1のシリコン基板の所定領域に拡散層(40a)を形成する工程と、前記拡散層を含む前記第1のシリコン基板の上に犠牲膜(41)を形成する工程と、前記犠牲膜の所定領域に、前記拡散層とコンタクトを取るための開口部を設ける工程と、前記開口部を含む前記犠牲膜の上に、前記第1、第2のアンカー部を構成する導電性膜(45)を成膜する工程と、第2のシリコン基板(46)を用意し、前記導電性膜の表面を平坦化したのち、この導電性膜の表面に前記第2のシリコン基板を貼り合わせる工程と、前記第2のシリコン基板及び前記導電性膜の所定領域をエッチング除去し、前記梁構造体と前記固定部とを分離させる工程と、前記犠牲膜をエッチング除去して、前記梁構造体を前記第1のシリコン基板からリリースさせて可動とする工程と、を備えていることを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/84 ,  G01L 1/14 ,  G01P 15/125

FI (3件)：

H01L 29/84 Z ,  G01L 1/14 A ,  G01P 15/125

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体力学量センサとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-019192   出願人：株式会社デンソー
• 圧力センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-082551   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 特公平6-044008