特許
J-GLOBAL ID：200903064100889483
金属/樹脂接着構造体及び樹脂封止型半導体装置とその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
井上 学
, 戸田 裕二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-020045
公開番号（公開出願番号）：特開2009-182159
出願日： 2008年01月31日
公開日（公表日）： 2009年08月13日
要約：
【課題】 樹脂封止型半導体装置は、リードフレーム等の金属部材と封止樹脂の界面剥離が原因で、温度サイクル寿命が大幅に低下している。樹脂の剥離を防いで半導体装置の高信頼化を図る。【解決手段】 半導体組立構造体にNiやCuと比較して酸素との結合力が強いZnやZrなどの金属種の有機金属化合物溶液を塗布し、酸化雰囲気中で加熱・焼成処理し、構造体の金属部材と封止樹脂の界面に厚さ5〜600nm程度で表面に微細な凹凸が形成された酸化物の皮膜を形成した構造とした。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
金属部材と高分子樹脂の接着構造体において、
金属部材の表面に350°C以下の温度で分解する有機金属化合物を含む溶液を塗布する工程と、
酸化雰囲気中で有機金属化合物を加熱処理して金属酸化物を含む皮膜を金属部材表面に形成する工程と、
金属酸化物を含む皮膜の上に高分子樹脂を供給し、高分子樹脂を硬化処理して金属部材と高分子樹脂の接着構造を得る工程と、
を有することを特徴とする金属/樹脂接着構造体の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/56
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 23/50
, H01L 23/13
H01L21/56 H
, H01L21/56 T
, H01L23/30 R
, H01L23/50 H
, H01L23/12 C
4M109AA02
, 4M109BA01
, 4M109CA21
, 4M109EC09
, 4M109ED07
, 5F061AA01
, 5F061BA01
, 5F061CA21
, 5F061CB02
, 5F061CB12
, 5F067AA04
, 5F067DE01
, 5F067EA04
