圧電デバイス用基板の製造方法と圧電デバイス用基板、及びこれを用いた表面弾性波デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-165114
公開番号（公開出願番号）：特開2001-348299
出願日： 2000年06月01日
公開日（公表日）： 2001年12月18日
要約：

【要約】【課題】圧電デバイス用基板の製造方法と圧電デバイス用基板、及びこれを用いた表面弾性波デバイスにおいて、二次相が発生せず、組成の均一な結晶を育成できること。【解決手段】 La3Ga5SiO14単結晶を育成して圧電デバイス用基板に加工する製造方法であって、添付図面1に示す点A(La2O3が47.98重量%、Ga2O3が46.32重量%、SiO2が5.70重量%)、点B(La2O3が48.50重量%、Ga2O3が46.32重量%、SiO2が5.18重量%)、点C(La2O3が48.50重量%、Ga2O3が47.50重量%、SiO2が4.00重量%)、点D(La2O3が47.50重量%、Ga2O3が47.50重量%、SiO2が5.00重量%)、点E(La2O3が47.50重量%、Ga2O3が46.32重量%、SiO2が6.18重量%)、点F(La2O3が47.50重量%、Ga2O3が46.00重量%、SiO2が6.50重量%)、点G(La2O3が47.98重量%、Ga2O3が46.00重量%、SiO2が6.02重量%)で囲まれる組成範囲内で秤量してルツボ内で融解させ、該ルツボ内からLa3Ga5SiO14の単結晶を引き上げ育成する。

請求項（抜粋）：

La3Ga5SiO14単結晶を育成して圧電デバイス用基板に加工する圧電デバイス用基板の製造方法であって、添付図面1に示す点A(La2O3が47.98重量%、Ga2O3が46.32重量%、SiO2が5.70重量%)、点B(La2O3が48.50重量%、Ga2O3が46.32重量%、SiO2が5.18重量%)、点C(La2O3が48.50重量%、Ga2O3が47.50重量%、SiO2が4.00重量%)、点D(La2O3が47.50重量%、Ga2O3が47.50重量%、SiO2が5.00重量%)、点E(La2O3が47.50重量%、Ga2O3が46.32重量%、SiO2が6.18重量%)、点F(La2O3が47.50重量%、Ga2O3が46.00重量%、SiO2が6.50重量%)、点G(La2O3が47.98重量%、Ga2O3が46.00重量%、SiO2が6.02重量%)で囲まれる組成範囲内で秤量してルツボ内で融解させ、該ルツボ内からLa3Ga5SiO14の単結晶を引き上げ育成することを特徴とする圧電デバイス用基板の製造方法。

IPC (7件)：

C30B 29/34 , C01B 33/20 , H01L 41/09 , H01L 41/18 , H01L 41/24 , H03H 3/08 , H03H 9/25

FI (7件)：

C30B 29/34 Z , C01B 33/20 , H03H 3/08 , H03H 9/25 C , H01L 41/08 C , H01L 41/18 101 A , H01L 41/22 A

Fターム (22件)：

4G073AA03 , 4G073BA14 , 4G073BA17 , 4G073BD01 , 4G073BD18 , 4G073CD01 , 4G073FB11 , 4G073FB50 , 4G073FE20 , 4G073GA01 , 4G073GB10 , 4G073UA20 , 4G073UB11 , 4G077AA02 , 4G077BC60 , 4G077CF10 , 4G077EC08 , 4G077HA11 , 5J097AA31 , 5J097FF01 , 5J097HA01 , 5J097HA10

引用特許：

審査官引用 (2件)

圧電デバイス用基板の製造方法と圧電デバイス用基板、及びこれを用いた表面弾性波デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-344038 出願人：三菱マテリアル株式会社
圧電デバイス用基板の製造方法と圧電デバイス用基板、及びこれを用いた弾性表面波デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-377335 出願人：三菱マテリアル株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

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