半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)： ▲角▼谷浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-085260
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244312
出願日： 2007年03月28日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

【課題】半導体基板の第1主面に伝導度変調型素子を設けた半導体装置(例えばpn接合ダイオード)において、逆回復時間trrを短縮するためにp型不純物領域の不純物濃度を低減すると、ホールの注入が低減され、ある電流ポイントでの順方向電圧VFの値が高くなる問題があった。【解決手段】第2電極を半導体基板SBと選択的にコンタクトさせる。すなわち、半導体基板SBの第2主面に開口部を有する絶縁膜を設け、絶縁膜上に第2電極を設ける。第2電極は、開口部を介して半導体基板SBの第2主面とコンタクトする。開口部の総面積を半導体基板SBの第2主面の総面積の約2分の1とする。これにより、絶縁膜によって少数キャリア(ホール)の引き抜きが阻まれ、第2電極付近で少数キャリアの消滅が減る。従って伝導度変調効果が高まるので、逆回復時間trr短縮のためにp型不純物領域の不純物濃度を低減した構造であっても、順方向電圧VFを低減することができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1主面と第2主面を有する半導体基板と、前記第1主面に設けられた伝導度変調型の素子領域と、前記第1主面側に設けられ前記素子領域と接続する第1電極と、前記第2主面に設けられた絶縁膜と、該絶縁膜に選択的に設けられた複数の開口部と、前記絶縁膜を覆って設けられ該開口部を介して前記半導体基板の前記第2主面とコンタクトする第2電極と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/41 , H01L 21/28 , H01L 29/861 , H01L 29/06 , H01L 29/78 , H01L 29/739

FI (7件)：

H01L29/44 L , H01L21/28 L , H01L29/91 C , H01L29/06 301G , H01L29/91 J , H01L29/78 652L , H01L29/78 655Z

Fターム (12件)：

4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104DD16 , 4M104FF02 , 4M104FF11 , 4M104FF13 , 4M104FF35 , 4M104GG02 , 4M104GG06 , 4M104GG09 , 4M104GG18

引用特許：

出願人引用 (1件)

ダイオードとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-143624 出願人：富士電機株式会社

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