ダイオードとその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-143624
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335679
出願日： 1997年06月02日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】スイッチング速度、耐圧、漏れ電流、順電圧、アバランシェ耐量等、各種特性が総合的に優れたダイオードとその製造方法を提供する。【解決手段】?@pn接合型ダイオードにおいて、p- アノード領域3の抵抗率をもっとも低い部分でもnドリフト層2の抵抗率の1/100以上とし、また厚さを0.1〜0.5μmの範囲とする。?Aショットキーダイオードにおいて、nドリフト層2の表面層に、n- 高抵抗領域17を設け、その表面にショットキー電極15を接触させる。?Bpn接合型ダイオード、ショットキーダイオードにおいて、pアノード領域3、またはpリング領域12の鉛直投影の内側にのみn+ 埋め込み領域18を設ける。

請求項（抜粋）：

高濃度の第一導電型の第一領域と、第一領域上に置かれ、第一領域より低濃度の第一導電型の第二領域と、第二領域の表面層に形成された概ねリング状の第二導電型の第三領域と、その第三領域の内側の第二領域の表面層に形成された第二導電型の第四領域と、第一領域に接触して設けられた第一主電極と、第四領域に接触して設けられた第二主電極とを有するダイオードにおいて、第二導電型の第四領域の抵抗率が最も低い部分でも第一導電型の第二領域の抵抗率の1/100以上で、厚さが第三領域の拡散深さより小さいことを特徴とするダイオード。

IPC (2件)：

H01L 29/861 , H01L 29/872

FI (2件)：

H01L 29/91 D , H01L 29/48 F

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-024767
特開昭58-039056
特開昭54-017676

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