特許

J-GLOBAL ID：200903064142288544

量子細線の製造方法

発明者： ジョナサン ウエストウォータ ,  ダラム パル ゴサイン ,  中越 美弥子 ,  碓井 節夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-274014
公開番号（公開出願番号）：特開平10-106960
出願日： 1996年09月25日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 良好な形状のシリコン量子細線を成長させることができる量子細線の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン(Si)基板11の上に金(Au)12を蒸着する。金12の膜厚は5nm以下とする。そののち、圧力が0.5Torr未満のシラン(SiH4 )ガスを含む雰囲気中において450°C以上650°C以下の温度で加熱する。これにより、シリコン基板11の表面にシリコンと金との溶融化合物合金12aが形成され、それを触媒としてシランガスの分解反応が起こり、シリコン量子細線13が成長する。シリコン量子細線は、屈曲せず良好な形状となる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の上に金を蒸着する第1の工程と、金を蒸着したのちシリコン基板を圧力が0.5Torr未満のシランガスを含む雰囲気中において450°C以上の温度で加熱する第2の工程とを含むことを特徴とする量子細線の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• Siウイスカ-の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-204082   出願人：横河電機株式会社