特許
J-GLOBAL ID：200903064175535970
高温水中で低腐食電位を保つための酸化物皮膜導電率の調整方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
生沼 徳二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-218404
公開番号（公開出願番号）：特開平10-197684
出願日： 1997年08月13日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】水冷原子炉内の金属製構成部の一般的な腐食と、該構成部の表面における割れの開始と成長とを緩和する方法を提供する。。【解決手段】非貴金属例えばジルコニウムまたはチタンを含有する化合物の溶液または懸濁液を原子炉の水中に注入する。この化合物は、原子炉発熱状態のもとで分解して非貴金属のイオン又は原子を放出し、該イオン又は原子は構成部表面及び構成部の表面に形成された割れの内面に混入する。好適化合物はジルコニウム化合物、例えば、ジルコニウムアセチルアセトナート、硝酸ジルコニウム、硝酸ジルコニルである。金属製構成部の酸化表面に混入したジルコニウムは、水素を付加することなく酸化表面における電気化学腐食電位を臨界電位より低いレベルに減らして粒界応力腐食割れに対する保護をする。
請求項（抜粋）：
水冷原子炉または関連設備において使用中の金属製構成部の表面における割れを緩和するように該金属構成部を処理する方法であって、前記金属構成部の前記表面に酸化物皮膜を形成し、前記酸化物皮膜を非貴金属の種でドープし、これにより該種が前記酸化物被膜に混入して、前記表面の電気化学的腐食電位を減少させ、これにより割れを緩和する、ことからなる方法。
FI (2件)：
G21D 1/00 W
, G21D 1/00 X
