光起電力素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-107046
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318718
出願日： 1993年05月07日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：

【要約】【目的】本発明は、ZnO/pin層界面、ZnO/基体界面近傍での光励起キャリアーの再結合を抑制し、また開放電圧、短絡電流を向上させ、光電変換効率が向上した光起電力素子を提供することを目的とする。【構成】基体上に酸化亜鉛薄膜層、非単結晶シリコン系半導体材料からなるpin層(p層,i層,n層)を積層してなる光起電力素子において、前記酸化亜鉛薄膜層は、表面に0.1〜1.0μmの凹凸を有す、c軸配向性の結晶性薄膜であり、且つアルミニウムを含有し、該アルミニウムの含有量が、前記pin層との界面で最小値をとり、前記基体に向かって除々に増加していることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基体上に酸化亜鉛薄膜層、非単結晶シリコン系半導体材料からなるpin層(p層、i層、n層)を積層してなる光起電力素子において、前記酸化亜鉛薄膜層は、表面に0.1〜1.0μmの凹凸を有す、c軸配向性の結晶性薄膜であり、且つアルミニウムを含有し、該アルミニウムの含有量が、前記pin層との界面で最小値をとり、前記基体に向かって除々に増加していることを特徴とする光起電力素子。

引用特許：

審査官引用 (6件)

光起電力素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-269423 出願人：キヤノン株式会社
特開昭62-122011
特開昭63-136514

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