特許

J-GLOBAL ID：200903064205521295

処理方法及び装置

発明者： 福地 祐介
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 藤元 亮輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-389876
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150637
出願日： 2003年11月19日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】 高温加熱によらない方法で、高い信頼性を有する絶縁膜を形成する処理方法及び装置を提供する提供する。【解決手段】 被処理基体の表面に酸窒化処理により絶縁膜を形成する処理方法であって、前記被処理基体に窒素原子を含むプラズマを照射して前記被処理基体の表面を窒化するステップと、前記窒化された前記被処理基体の前記表面に酸素原子を含むプラズマを照射して酸化するステップとを有する方法を提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

被処理基体の表面に酸窒化処理により絶縁膜を形成する処理方法であって、 前記被処理基体に窒素原子を含むプラズマを照射して前記被処理基体の表面を窒化するステップと、 前記窒化された前記被処理基体の前記表面に酸素原子を含むプラズマを照射して酸化するステップとを有する方法。

IPC (2件)：

H01L21/318 ,  H01L29/78

FI (3件)：

H01L21/318 A ,  H01L21/318 C ,  H01L29/78 301G

Fターム (18件)：

5F058BA20 ,  5F058BC11 ,  5F058BF72 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BG03 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA39 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE02 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE19

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-394358   出願人：株式会社東芝