SiC単結晶及びその製造方法並びにSiC種結晶及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高橋祥泰 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-315367
公開番号（公開出願番号）：特開2003-119097
出願日： 2001年10月12日
公開日（公表日）： 2003年04月23日
要約：

【要約】【課題】マイクロパイプ欠陥,螺旋転位,刃状転位,及び積層欠陥をほとんど含まず,高品質のSiC単結晶及びその製造方法並びにSiC種結晶及びその製造方法を提供すること。【解決手段】第1成長工程においては,{1-100}面からオフセット角度±20°以下の面,または{11-20}面からオフセット角度±20°以下の面を第1成長面として第1成長結晶を作製し,中間成長工程においては,第(n-1)成長面より45〜90°傾き,且つ{0001}面より60〜90°傾いた面を第n成長面として第n成長結晶を作製し,最終成長工程においては,第(N-1)成長結晶の{0001}面よりオフセット角度±20°以下の面を最終成長面35として,上記最終成長面35上にバルク状のSiC単結晶30を成長させる。

請求項（抜粋）：

SiC単結晶よりなる種結晶上にSiC単結晶を成長させてバルク状のSiC単結晶を製造する製造方法において,該製造方法はN回(Nは,N≧3の自然数)の成長工程を含み,各成長工程を第n成長工程(nは自然数であって1から始まりNで終わる序数)として表した場合,n=1である第1成長工程においては,{1-100}面からオフセット角度±20°以下の面,または{11-20}面からオフセット角度±20°以下の面を第1成長面として露出させた第1種結晶を用いて,上記第1成長面上にSiC単結晶を成長させ第1成長結晶を作製し,n=2,3,...,(N-1)回目である中間成長工程においては,第(n-1)成長面より45〜90°傾き,且つ{0001}面より60〜90°傾いた面を第n成長面とした第n種結晶を第(n-1)成長結晶より作製し,該第n種結晶の上記第n成長面上にSiC単結晶を成長させて第n成長結晶を作製し,n=Nである最終成長工程においては,第(N-1)成長結晶の{0001}面よりオフセット角度±20°以下の面を最終成長面として露出させた最終種結晶を第(N-1)成長結晶より作製し,該最終種結晶の上記最終成長面上にバルク状のSiC単結晶を成長させることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。

Fターム (7件)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077DA19 , 4G077EA01 , 4G077ED02 , 4G077EF01 , 4G077HA12

引用特許：

出願人引用 (3件)

SiC単結晶およびその成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-364593 出願人：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社
SiC単結晶の育成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-356074 出願人：住友金属鉱山株式会社
SiC単結晶の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-286956 出願人：新日本製鐵株式会社

審査官引用 (1件)

SiC単結晶およびその成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-364593 出願人：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社

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