特許

J-GLOBAL ID：200903064267089829

半導体の加工方法

発明者： 寺島 健太郎
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-358169
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183047
出願日： 1998年12月16日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 物理的手段に頼っていた半導体の45°斜面形成の加工を、より容易なエッチング法に切り換え、量産性の向上、製造コストの抑制及び信頼性の高い半導体装置を製造することを目的とする。【解決手段】 塩化水素を5重量%以上と、臭化水素を5重量%以上と、希釈液とを含んでなるエッチング溶液を用いて、閃亜鉛型の結晶構造を持つ半導体基板を順メサ方向で45°異方性エッチングすることからなる半導体の加工方法。

請求項（抜粋）：

塩化水素を5〜15重量%と、臭化水素を5〜20重量%とを含んでなるエッチング水溶液を用いて、閃亜鉛型の結晶構造を持つ半導体基板を順メサ方向で45°異方性エッチングすることからなる半導体の加工方法。

IPC (5件)：

H01L 21/308 ,  C09K 13/04 ,  C09K 13/04 101 ,  C09K 13/06 ,  C09K 13/06 101

FI (5件)：

H01L 21/308 C ,  C09K 13/04 ,  C09K 13/04 101 ,  C09K 13/06 ,  C09K 13/06 101

Fターム (5件)：

5F043AA02 ,  5F043AA04 ,  5F043BB08 ,  5F043DD21 ,  5F043FF04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-204982   出願人：沖電気工業株式会社