特許
J-GLOBAL ID：200903064275479733
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-346042
公開番号（公開出願番号）：特開平5-181256
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、解像限界を向上せしめると共に、フォーカスマージンの向上をはかり一定の光量で忠実なパターン転写を行うことのできるパターン形成方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明の方法では、透光性基板上に、この透光性基板に対する位相差が180×(2n+1)±10:n=整数の関係を満たす半透明材料からなるマスクパターンを具備した露光用マスクに対し、均一化された光源面あるいは二次光源面からの光を、中央に暗部を有する輪帯フィルタを介して照射し、パターンを形成すべき基板表面に前記露光用マスクのパターン像を結像せしめるようにしている。望ましくは、この均一化された光源面あるいは二次光源面の半径をLとしたとき、輪帯フィルタの暗部が蠅の目レンズの中心から半径d(d≧0.5L)の大きさをもつように構成する。望ましくは、この半透明材料からなるマスクパターンの振幅透過率が次式を満たすように構成する。0.05×T0 ≦T≦0.40×T0
請求項（抜粋）：
透光性基板と、前記透光性基板上に配設され、前記透光性基板に対する位相差が、“180×(2n+1)±10:n=整数”の関係を満たす半透明材料からなるマスクパターンとを具備した露光用マスクに対し、均一化された光源面あるいは二次光源面からの光を、中央に暗部を有する輪帯フィルタを介して照射し、パターンを形成すべき基板表面に前記露光用マスクのパターン像を結像せしめるようにしたことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
, H01L 21/30 341 S
