特許
J-GLOBAL ID：200903064290055443
導電性酸化スズ膜のパターニング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-270999
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111082
出願日： 1997年10月03日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 簡便にかつ効率よく、導電性酸化スズのパターン膜を得る方法を提供すること。【解決手段】 スズ化合物とドーパント化合物を溶解した溶液を基材上に塗布し、該基板上に形成された被膜を乾燥して乾燥膜を形成し、その上層にレジストを形成し、該レジストを部分的に現像してパターンを形成し、下層の乾燥膜をエッチングした後、未現像のレジストを剥離し、その下層の乾燥膜を焼成することにより酸化スズ(IV)膜とする導電性酸化スズ膜のパターニング方法において、有機溶媒に可溶なスズ化合物とドーパント化合物を該有機溶媒に溶解した溶液を用いることにより、該乾燥膜が現像液に対する溶解性を保持する範囲内で乾燥して、レジストと乾燥膜を現像液で同時にエッチングすることによる。
請求項（抜粋）：
スズ化合物とドーパント化合物を溶解した溶液を基材上に塗布し、該基板上に形成された被膜を乾燥して乾燥膜を形成し、その上層にレジストを形成し、該レジストを部分的に現像してパターンを形成し、下層の乾燥膜をエッチングした後、未現像のレジストを剥離し、その下層の乾燥膜を焼成することにより酸化スズ(IV)膜とする導電性酸化スズ膜のパターニング方法において、有機溶媒に可溶なスズ化合物とドーパント化合物を該有機溶媒に溶解した溶液を用いることにより、該乾燥膜が現像液に対する溶解性を保持する範囲内で乾燥して、レジストと乾燥膜を現像液で同時にエッチングすることを特徴とする導電性酸化スズ膜のパターニング方法。
IPC (3件)：
H01B 13/00 503
, C23C 22/00
, H01L 21/306
H01B 13/00 503 D
, C23C 22/00 Z
, H01L 21/306 F
