特許

J-GLOBAL ID：200903064299594428

薄膜形成装置

発明者： 柿本 一臣
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-048575
公開番号（公開出願番号）：特開2006-233266
出願日： 2005年02月24日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】 超電導特性が長手方向で均一な酸化物超電導線材を製造することができる製造装置の提供。【解決手段】 長尺基材12を収容する処理容器11と、該処理容器内に配置され前記長尺基材を囲んで保温する開口付きヒータボックス13と、該ヒータボックスの開口に隣接して設けられたターゲットホルダ16と、該ターゲットホルダに保持されるターゲット15にレーザ光18を照射するレーザ光発光手段17とを備え、前記レーザ光を前記ターゲットの表面に照射し、該ターゲットから叩き出され若しくは蒸発した蒸着粒子を前記ヒータボックス内の長尺基材表面に堆積させることを特徴とする薄膜形成装置10。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

長尺基材を収容する処理容器と、該処理容器内に配置され前記長尺基材を囲んで保温する開口付きヒータボックスと、該ヒータボックスの開口に隣接して設けられたターゲットホルダと、該ターゲットホルダに保持されるターゲットにレーザ光を照射するレーザ光発光手段とを備え、前記レーザ光を前記ターゲットの表面に照射し、該ターゲットから叩き出され若しくは蒸発した蒸着粒子を前記ヒータボックス内の長尺基材表面に堆積させることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (4件)：

C23C 14/28 ,  C23C 14/08 ,  H01B 12/06 ,  H01B 13/00

FI (4件)：

C23C14/28 ,  C23C14/08 L ,  H01B12/06 ,  H01B13/00 565D

Fターム (15件)：

4K029AA02 ,  4K029AA25 ,  4K029BA50 ,  4K029BC04 ,  4K029CA01 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  4K029JA10 ,  4K029KA03 ,  5G321AA04 ,  5G321AA05 ,  5G321AA07 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321DB37

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 薄膜の形成方法及び形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-053298   出願人：株式会社フジクラ