特許
J-GLOBAL ID：200903064299816773
半導体レーザー
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-278714
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090708
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 高出力、低動作電流及び長寿命のダブルヘテロ構造を有する半導体レーザーを実現する。【構成】 Alx Ga1-x As/GaAs系のダブルヘテロ構造を有する半導体レーザーのn型Alx Ga1-x As層から成るn型クラッド層3に、n型不純物であるSeに加えて、p型不純物であるZnも含有させる。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板と、上記化合物半導体基板上に設けられた第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上に設けられた活性層と、上記活性層上に設けられた第2導電型の第2のクラッド層とを具備する半導体レーザーにおいて、上記第1のクラッド層中に第2導電型の不純物が含有され及び/又は上記第2のクラッド層中に第1導電型の不純物が含有されていることを特徴とする半導体レーザー。
引用特許：
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