特許
J-GLOBAL ID：200903064301152896
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-212330
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033412
出願日： 2000年07月13日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：
【要約】【課題】 配線に生じる熱応力を好適に吸収することにより、電気的、機械的な接続の信頼性を向上させることが可能な半導体装置を提供することを主要な目的とする。【解決手段】 半導体基板1の上に、取出し電極2と外部接続のための外部接続用電極7が設けられている。取出し電極2と外部接続用電極7を、配線5が接続している。配線5は、上に向かって盛り上がる極大部が少なくとも1つできるように曲折している。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の上に設けられた取出し電極と、前記半導体基板の上に設けられた、外部接続のための外部接続用電極と、前記取出し電極と前記外部接続用電極とを接続する配線とを備え、前記配線は、上に向かって盛り上がる極大部が少なくとも1つできるように曲折している半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/12 501
, H01L 21/60
H01L 23/12 501 C
, H01L 21/92 602 L
