特許
J-GLOBAL ID：200903037395188638

半導体装置とその製造方法

発明者：
中村 嘉文

中村 嘉文 について

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佐原 隆一

佐原 隆一 について

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下石坂 望

下石坂 望 について

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隈川 隆博

隈川 隆博 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-358820
公開番号（公開出願番号）：特開平11-191572
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：
【要約】【課題】 熱応力等に対する金属配線の断線を防止する機能の高い高信頼性の半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体チップ10の主面上には、半導体チップ10の電極が配置された中央部を開口させた低弾性率層20が設けられている。そして、低弾性率層20の上に外部電極端子となるランド32が設けられ、ランド32とパッド30との間を接続する金属配線31が設けられている。ランド32の上には金属ボール40が設けられており、ランドの一部を開口させたソルダーレジスト50が形成されている。低弾性率層20の傾斜部上の金属配線31には1回又は2回以上蛇行した蛇行部が形成されている。そして、この蛇行部で半導体装置の加熱・冷却に伴って発生する熱応力などの応力を吸収し、金属配線の断線を防止するように構成されている。
請求項（抜粋）：
表面上に電極が配置された半導体チップと、上記半導体チップ上の電極から延び、少なくとも一回蛇行した蛇行部を有するように形成された金属配線と、上記金属配線に接続される外部電極端子とを備えている半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 23/12
FI (3件)：
H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/88 T ,  H01L 23/12 L
引用特許：
審査官引用 (7件)
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