相変化材料素子および半導体メモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：植本雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-098460
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298013
出願日： 2002年04月01日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】微細化に対応することが可能であって、微細化の要求される半導体メモリなどの半導体デバイスに用いることが可能な相変化材料素子および半導体メモリを提供する。【解決手段】本発明の相変化材料素子は、パルス状の電流を印加することでアモルファス状態の相となって高抵抗化される一方、パルス状の電流に続いて徐々に電流値を下げた電流を印加することで結晶状態の相となって低抵抗化されるようになっている。

請求項（抜粋）：

アモルファス状態の相と結晶状態の相との間の相変化により抵抗率が変化する相変化材料素子であって、その比抵抗は高くても100Ω・cmであることを特徴とする相変化材料素子。

IPC (2件)：

H01L 27/10 451 , H01L 45/00

FI (2件)：

H01L 27/10 451 , H01L 45/00 A

Fターム (10件)：

5F083AD69 , 5F083FZ10 , 5F083GA09 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA20 , 5F083PR39

引用特許：

審査官引用 (4件)

電気的消去可能型相転移メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-006940 出願人：エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド
相変化型不揮発性記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-296101 出願人：株式会社東芝
特開昭56-100464

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