特許

J-GLOBAL ID：200903064325097241

面発光レーザ及び面発光レーザアレイ及び光送信モジュール及び光送受信モジュール及び光通信システム及びレーザプリンター及び光ピックアップシステム

発明者： 佐藤 俊一
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-300404
公開番号（公開出願番号）：特開2004-140007
出願日： 2002年10月15日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：

【課題】反射鏡と活性層との接着において格子歪に伴う欠陥発生を抑えた実用レベルの面発光レーザを提供する。【解決手段】基板上に、少なくとも1層の活性層を含む活性領域と、活性層の上部および下部に設けられた第1反射鏡および第2反射鏡を含む共振器構造とを有する面発光レーザにおいて、少なくとも反射鏡の一部を含んだ領域と、少なくとも活性層を含んだ領域とが、金属を介して接着されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくとも1層の活性層を含む活性領域と、活性層の上部および下部に設けられた第1反射鏡および第2反射鏡を含む共振器構造とを有する面発光レーザにおいて、少なくとも反射鏡の一部を含んだ領域と、少なくとも活性層を含んだ領域とが、金属を介して接着されていることを特徴とする面発光レーザ。

IPC (1件)：

H01S5/183

FI (1件)：

H01S5/183

Fターム (14件)：

5F073AA08 ,  5F073AA22 ,  5F073AA65 ,  5F073AB17 ,  5F073BA02 ,  5F073BA04 ,  5F073BA07 ,  5F073CA05 ,  5F073CA06 ,  5F073CB02 ,  5F073DA14 ,  5F073DA35 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 密着結合領域の付近に電極を持つ半導体光デバイス及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-201169   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-013757   出願人：日本電信電話株式会社