特許

J-GLOBAL ID：200903074878485261

半導体光素子

発明者： 舘野 功太 ,  天野 主税
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 森 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-013757
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217497
出願日： 2001年01月22日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 資源枯渇の心配がなく、低コストで高特性の半導体光素子を提供する。【解決手段】 n型GaP基板10上に、下層から順に、n型GaPクラッド層11, ノンドープGa0.86In0.14N0.064 P0.936 層12,Ga0.56In0.44N0.081 P0.919 /Ga0.86In0.14N0.064 P0.936 の3量子井戸活性層13,ノンドープGa0.86In0.14N0.064 P0.936 層14,p型Al0.9 Ga0.1P層15,p型GaPクラッド層16を、有機金属気相成長法又は分子ビーム成長法によって積層した。そして、p型Al0.9 Ga0.1 P層15を選択酸化して、電流狭窄層を形成した。さらに、n型GaP基板10の下面にn型電極17、p型GaPクラッド層16の上面にp型電極18をそれぞれ設けた。

請求項（抜粋）：

GaP基板と、該GaP基板上に形成された1層以上のIII-V族半導体化合物層と、を備えるとともに、前記III -V族半導体化合物層を、P及びSbの少なくとも一方とNとをV族元素として有するIII -V族半導体化合物で構成したことを特徴とする半導体光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 31/10 A

Fターム (18件)：

5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NB01 ,  5F049QA16 ,  5F049SE09 ,  5F049SS04 ,  5F073AA11 ,  5F073AA64 ,  5F073AA65 ,  5F073AA73 ,  5F073AB17 ,  5F073CA17 ,  5F073CA18 ,  5F073CB04 ,  5F073DA27 ,  5F073DA35 ,  5F073EA23 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体レーザおよび半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-081795   出願人：住友電気工業株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-255421   出願人：株式会社リコー
• 窒化物半導体発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-040592   出願人：昭和電工株式会社
• 半導体素子、特に直埋リッジレーザの製造法および該方法によって製造される素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-012837   出願人：アルカテル・エヌ・ブイ
• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-184232   出願人：株式会社東芝