特許
J-GLOBAL ID：200903064343392897

磁気メモリ装置およびその製造方法

発明者：
平井 匡彦

平井 匡彦 について

, 
西村 直樹

西村 直樹 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-272574
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086775
出願日： 2001年09月07日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：
【要約】【課題】 磁気メモリ装置のTMR素子を平坦に形成して安定した動作を可能にする。【解決手段】 垂直磁気異方性を持つ上磁性層17と下磁性層15との間に、非磁性層であるトンネル障壁層16を介在させてTMR素子18が構成されている。第2の層間絶縁膜11および第3の層間絶縁膜12に設けられたコンタクトホール内に形成されている第2のプラグ14上に、平面的に延びる導電性のローカルコネクト25が設けられている。TMR素子18は、ローカルコネクト25上の、第2のプラグ14の直上を避けた位置に形成されている。TMR素子18は、ローカルコネクト25を介して、第2のプラグ14の上面と接続されている。TMR素子18に磁界を印加するための電流が流されるビット線21が、TMR素子18の直上の位置から平面的にずれた位置に形成されている。
請求項（抜粋）：
主に膜面垂直方向に磁化する第1の磁性層および第2の磁性層と、前記第1の磁性層と第2の磁性層の間に位置する非磁性層とからなり、導電性のプラグと接続されている磁気抵抗効果素子を含む、不揮発性の磁気メモリ装置において、前記プラグの上面の直上から平面的に離れた位置に、前記磁気抵抗効果素子が配置されており、前記プラグの上面と前記磁気抵抗効果素子の下面とを接続するローカルコネクトが設けられていることを特徴とする磁気メモリ装置。
IPC (5件)：
H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 43/08
FI (6件)：
G11C 11/14 A ,  G11C 11/14 E ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447 ,  H01L 21/88 K
Fターム (44件)：
5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK09 ,  5F033KK18 ,  5F033MM01 ,  5F033MM08 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033VV05 ,  5F033VV16 ,  5F033XX01 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA30 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083KA05 ,  5F083KA16 ,  5F083MA01 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR23 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40
引用特許：
審査官引用 (3件)

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