特許

J-GLOBAL ID：200903064350818514

水素化アモルファスカーボンを用いた単結晶ダイヤモンドの合成法

発明者： 吉田 博
出願人/特許権者： 新技術事業団
代理人 (1件)： 小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-188030
公開番号（公開出願番号）：特開平9-020593
出願日： 1995年07月02日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】【目的】 結晶性に優れた単結晶ダイヤモンドを合成する。【構成】 カーボンに水素を添加したり、水素化炭素ガスを分解し基板上で急冷することにより、或いはグラファイトを水素原子でスパッタリングすることにより、sp3 構造を主とする水素化アモルファスカーボンを調製する。この水素化アモルファスカーボンに放射光によるX線を照射して炭素の1s殻電子を励起し、オージェ効果により炭素原子を2+ イオンの励起状態にすることにより原子空孔及び格子間原子対を生成させ、融点よりも十分低い温度でアニールすることにより格子間原子の移動エネルギーだけで原子をダイヤモンドの原子配列に並び替える。また、アモルファスカーボン,シリコン,GaAs等のIII-V族半導体又はII-VI続化合物半導体等の単結晶基板上でダイヤモンドの単結晶薄膜を成長させるにも適用できる。【効果】 高温半導体デバイス,紫外光レーザダイオード,透明単結晶保護膜等として好適な合成ダイヤモンドやダイヤモンド薄膜が得られる。

請求項（抜粋）：

sp3 構造を主とする水素化アモルファスカーボンに放射光によるX線を照射して炭素の1s殻電子を励起し、オージェ効果により炭素原子を2+ イオンの励起状態にすることにより水素化アモルファスカーボン中に原子空孔と格子間原子を生成させ、融点よりも十分低い温度でアニールすることにより格子間原子の移動エネルギーだけで原子を並び替えることを特徴とする水素化アモルファスカーボンを用いた単結晶ダイヤモンドの合成法。

IPC (3件)：

C30B 29/04 ,  B01J 19/12 ,  C01B 31/06

FI (3件)：

C30B 29/04 U ,  B01J 19/12 C ,  C01B 31/06 A