特許

J-GLOBAL ID：200903064393829692

半導体装置とその製造方法

発明者： 堀田 幸司 ,  河路 佐智子 ,  杉山 隆英 ,  臼井 正則
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-196573
公開番号（公開出願番号）：特開2006-019556
出願日： 2004年07月02日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：

【課題】 バイポーラ動作する半導体装置に関し、オン電圧とターンオフ損失との間に存在するトレードオフ関係を打破すること。【解決手段】 コレクタ電極Cと、コレクタ電極Cの一部と接するp+型コレクタ領域12と、コレクタ電極Cの残部とp+型コレクタ領域12に接するn-型半導体領域13と、p+型コレクタ領域12とn-型半導体領域13によってコレクタ電極Cから隔てられているn+型半導体領域14と、n+型半導体領域14と接するn-型ドリフト領域16とを備える裏面側構造を有する半導体装置である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

コレクタ電極と、 コレクタ電極の一部に接する第1導電型のコレクタ領域と、 コレクタ電極の残部とコレクタ領域に接する第2導電型の低濃度半導体領域と、 コレクタ領域と低濃度半導体領域によってコレクタ電極から隔てられている第2導電型の高濃度半導体領域と、 高濃度半導体領域と接する第2導電型のドリフト領域と、 ドリフト領域によって高濃度半導体領域から隔てられている第1導電型のボディ領域と、 ボディ領域によってドリフト領域から隔てられている第2導電型のエミッタ領域と、 エミッタ領域に接するエミッタ電極と、 エミッタ領域とドリフト領域を隔てているボディ領域にゲート絶縁膜を介して対向するゲート電極を備えている半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L29/78 655E ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/78 655D ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658E

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 絶縁ゲート型サイリスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-078530   出願人：富士電機株式会社