特許

J-GLOBAL ID：200903064405782611

ドライエッチング方法

発明者： 柳田 敏治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-160965
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031801
出願日： 1994年07月13日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】 Alを含む化合物半導体層上のAlを含まない化合物半導体層を、高選択比で異方性エッチングする場合の、脱フロンプロセスを提供する。【構成】 C-O結合を有する有機化合物ガスと、F系ガスとの混合ガスによりエッチングする。両者の混合比を変えた2段階エッチングとしたり、ハロゲン化イオウ系ガスを添加してもよい。【効果】 Alを含まない化合物半導体層であるn+ -GaAs層5側面に形成される側壁保護膜7は、C-O結合を含み、F原子の含有量が低減された強固な炭素系ポリマである。このため、側壁保護膜7の堆積量を減らしても十分な保護効果を発揮し、異方性エッチングを可能とする。下層のn+ -AlGaAs層4の露出表面ではAlFx が形成され、高選択比が達成される。

請求項（抜粋）：

Alを含む化合物半導体層上に積層されたAlを含まない化合物半導体層を、C-O結合を有する有機化合物ガスと、F系ガスとを含む混合ガスによりエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

FI (2件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-179988   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平4-237124
  
• 特開昭5-166765