ダイヤモンド膜合成装置及びダイヤモンド膜合成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-217342
公開番号（公開出願番号）：特開2002-030439
出願日： 2000年07月18日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】ダイヤモンド膜の膜質の向上を図る。【解決手段】サセプタ31に棒状の金属基板32が挿入される複数個の凹部33を設け、かつその凹部33の深さを金属基板32の高さに応じて、金属基板32の上部が凹部33から僅かに露出するように形成する。このようにサセプタ31の凹部33に金属基板32を挿入するようにすれば、金属基板32の高さが低い場合と等価にできるようになるから、マイクロ波プラズマCVD法ダイヤモンド成膜装置を用いて高さのある棒状の金属基板32に理想的なダイヤモンド成膜が形成できるようになる。なお、金属基板32の高さがさらに高くなる場合には、サセプタ31に透孔34を穿設して、その透孔34に金属基板32aを挿入するようにしても良い。

請求項（抜粋）：

反応室内に配設されたサセプタに基板を保持させ、前記反応室を真空排気して水素ガスを導入し、導入された水素ガスをマイクロ波によりプラズマ化してプラズマを安定な状態に保持してから炭化水素ガスを導入して前記基板にダイヤモンド膜を形成するマイクロ波プラズマCVD法を用いたダイヤモンド膜合成装置において、ダイヤモンド膜が形成される前記基板形状に応じて、前記サセプタに凹部又は孔を設け、その部位にて基板を保持する際に、サセプタから基板が露出する部分を少なくしてプラズマの集中を抑制して基板にダイヤモンド膜を形成することを特徴とするダイヤモンド膜合成装置。

IPC (2件)：

C23C 16/27 , C30B 29/04

FI (2件)：

C23C 16/27 , C30B 29/04 B

Fターム (14件)：

4G077AA03 , 4G077BA03 , 4G077DB19 , 4G077ED06 , 4G077EG03 , 4G077HA05 , 4G077HA20 , 4K030AA09 , 4K030AA17 , 4K030BA28 , 4K030FA01 , 4K030JA10 , 4K030JA12 , 4K030KA26

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭58-110464
特開昭63-025285
特開昭58-110464

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