特許
J-GLOBAL ID：200903064439922242
相補型半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-024941
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222705
出願日： 1995年02月14日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：
【要約】【目的】漏洩電流を生じることなく閾電圧値を低く設定することが可能なSOI構造の相補型半導体装置を提供する。【構成】超薄膜単結晶Si層下部に薄い絶縁膜を介して多結晶Si膜を有する多層SOIウエハを用い、N型トランジスタのチャネル下部の多結晶Si膜はP型高不純物濃度に、P型トランジスタのチャネル下部の多結晶Si膜はN型高不純物濃度に設定する。更に、ゲート酸化膜に接する領域のゲート電極は真性Siとほぼ同じ仕事関数を有する導電性材料で構成する。【効果】パンチスルー現象が抑制され、真性Siとほぼ同じ仕事関数を有するゲート構成と相まって、漏洩電流なく閾電圧値を低く設定できる。
請求項（抜粋）：
支持基板上に形成された第一の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜上に形成され、第一の導電型を有する第一の領域、及び第二の導電型を有する第二の領域からなる第一の半導体膜と、前記半導体膜上に形成された第二の絶縁膜と、前記第二の絶縁膜上に形成され、前記第一の領域上では第一の導電型を有し、前記第二の領域上では第二の導電型を有する単結晶半導体層と、前記単結晶半導体層上に形成された第三の絶縁膜と、前記第三の絶縁膜上に形成された電極とを有し、前記電極の少なくとも前記第三の絶縁膜に接する領域は前記第一の領域、及び前記第二の領域を構成する半導体膜の何れの仕事関数とも異なり、その中間の値を有する同一の導電性材料で構成されることを特徴とする相補型半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 27/08 331
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 27/12
, H01L 29/786
H01L 27/08 331 E
, H01L 27/12 Z
, H01L 27/08 321 D
, H01L 29/78 613 A
, H01L 29/78 617 N
