特許
J-GLOBAL ID：200903064447068056

半導体装置及びその電源供給方法

発明者：
山田 淳二

山田 淳二 について


出願人/特許権者：
エルピーダメモリ株式会社

エルピーダメモリ株式会社 について


代理人 (3件)： 池田 憲保 ,  福田 修一 ,  佐々木 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-345439
公開番号（公開出願番号）：特開2008-159736
出願日： 2006年12月22日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：
【課題】 半導体装置の配線は比較的電気抵抗が高いことから、半導体装置の動作電圧の低電圧化、消費電力の大電力化に伴い、供給電流が大電流化し、電源配線による電源電圧降下が顕著となり、電力供給が困難になっているという問題がある。【解決手段】 半導体装置を構成するn個の内部構成部品の低位側及び高位側電源配線を接地電圧GNDと電源VDD間に順に直列接続する。構成部品の所定動作電圧を加算した電圧を中間電源及び電源として供給し、構成部品の低位側及び高位側電源の差電圧を所定動作電圧となるようにする。本発明の電源供給方法によれば、半導体装置に流れる電流は1/n、電源電圧の電圧降下を1/nに低減でき、電力の供給が容易となる半導体装置が得られる。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
複数の構成部品からなる半導体装置において、前記複数の構成部品の低位側及び高位側電源配線を接地電圧と第1の電源間に順に直列接続し、それぞれの構成部品の電源電圧が所定動作電圧となるように、それぞれの構成部品の所定動作電圧を加算した電圧を供給することを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/00 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (3件)：
H01L27/04 B ,  H01L27/00 301C ,  H01L25/08 Z
Fターム (8件)：
5F038BB05 ,  5F038BE09 ,  5F038BG06 ,  5F038CD02 ,  5F038CD12 ,  5F038CD14 ,  5F038EZ07 ,  5F038EZ20
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (10件)
  • 特開平3-163864
  • 特開平4-302463
  • 半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-005877   出願人：株式会社東芝
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