半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-291809
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110184
出願日： 1999年10月14日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】外部から供給される電源電圧の電圧が低下することに対応して起こる動作電源供給の課題を解決し、安定かつ柔軟性のある内部電源電圧の供給手段を提供することにある。【解決手段】第1動作電圧(VCCQ)が供給される第1回路ブロック(PAD1)と、第2動作電圧(VDD)が供給される第2回路ブロック(CIR1)と、前記第1動作電圧を受けて第3動作電圧(VDH)を発生する電圧発生回路(PWR1)と、前記第3動作電圧が供給される第3回路ブロック(CIR2)とを有するように半導体装置を構成する。さらに望ましくは、第3動作電圧は、第1動作電圧から昇圧回路(GEN1)によりそれよりも電圧の大きな第4動作電圧を形成し、その第4動作電圧を降圧回路(VLM1)により降圧して形成する。【効果】これにより、VDDの電源が低下した場合でも比較的揺れを持つ電源VDDQを用いて安定な内部動作電源の形成を可能とする。

請求項（抜粋）：

第1動作電圧が供給される第1回路ブロックと、第2動作電圧が供給される第2回路ブロックと、前記第1動作電圧を受けて第3動作電圧を発生する電圧発生回路と、前記第3動作電圧が供給される第3回路ブロックとを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

G11C 11/407 , G11C 11/413 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , G05F 1/56 310

FI (4件)：

G05F 1/56 310 Q , G11C 11/34 354 F , G11C 11/34 335 A , H01L 27/04 B

Fターム (59件)：

5B015JJ12 , 5B015JJ15 , 5B015JJ21 , 5B015KA23 , 5B015KB32 , 5B015KB33 , 5B015KB36 , 5B015KB63 , 5B015KB64 , 5B015KB65 , 5B015PP02 , 5B024AA03 , 5B024AA15 , 5B024BA13 , 5B024BA27 , 5B024BA29 , 5B024CA07 , 5B024CA16 , 5B024CA21 , 5F038BB01 , 5F038BB02 , 5F038BB05 , 5F038BE07 , 5F038BE09 , 5F038BG02 , 5F038BG03 , 5F038BG05 , 5F038BH02 , 5F038BH04 , 5F038BH05 , 5F038BH07 , 5F038BH13 , 5F038BH19 , 5F038CA03 , 5F038CA05 , 5F038CA10 , 5F038CD02 , 5F038CD03 , 5F038DF01 , 5F038DF03 , 5F038DF04 , 5F038DF05 , 5F038DF08 , 5F038DF12 , 5F038DF14 , 5F038EZ20 , 5H430BB01 , 5H430BB05 , 5H430BB09 , 5H430BB11 , 5H430BB20 , 5H430EE06 , 5H430EE12 , 5H430EE13 , 5H430EE17 , 5H430FF04 , 5H430GG04 , 5H430GG05 , 5H430HH03

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-359271 出願人：株式会社日立製作所
特開昭62-202537
特開昭63-268183

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