特許
J-GLOBAL ID：200903064456120591
半導体装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-226264
公開番号（公開出願番号）：特開2007-042222
出願日： 2005年08月04日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：
【課題】 不揮発性メモリに対する書込み消去動作の高速性と情報保持の信頼性とを選択可能であって、情報保持の信頼性をさらに向上させる。【解決手段】 フラッシュメモリ(1)は、電気的に書込み及び消去が可能にされる複数の不揮発性メモリセル(2)と、制御回路(5)とを有する。制御回路(5)は、外部から供給されるコマンドの種類に応答して、不揮発性メモリセルに対する書込み及び消去とそのベリファイのための制御を行い、ベリファイによって得られる不揮発性メモリセルの閾値電圧分布の間隔を可変とする。例えば、書込み用コマンドの指示により閾値電圧分布の間隔を大きくするほど、閾値電圧分布の幅を小さくすれば、書込みによる電圧ストレスを小さくでき、情報保持の信頼性が高くなる。一方、閾値電圧分布の間隔を小さくして、閾値電圧分布の幅を大きくすれば、書込み用パルス電圧のパルス幅を大きくでき、書込み動作の高速性を確保できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
不揮発性メモリを備えた半導体装置であって、
前記不揮発性メモリは、メモリアレイと制御回路を有し、
前記メモリアレイは、電気的に書込み及び消去が可能にされる複数の不揮発性メモリセルを有し、
前記制御回路は、外部から供給されるコマンドに応答して前記不揮発性メモリセルに対する書込み及び消去とそのベリファイのための制御を行い、
前記制御回路は、前記不揮発性メモリセルに対する書込みにおいて、複数の閾値電圧分布を設定し、
前記制御回路は、書込み又は消去コマンドの種類に応じて、前記ベリファイによって得られる前記不揮発性メモリセルの隣接する閾値電圧分布の間隔を可変とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (6件)：
G11C17/00 614
, G11C17/00 641
, G11C17/00 639C
, G11C17/00 601E
, G11C17/00 611A
, G11C17/00 612B
5B125BA02
, 5B125BA19
, 5B125CA01
, 5B125CA08
, 5B125CA14
, 5B125CA15
, 5B125CA21
, 5B125DB01
, 5B125DE08
, 5B125DE15
, 5B125EA01
, 5B125EA08
, 5B125EB01
, 5B125EB02
, 5B125FA01
, 5B125FA02
