特許

J-GLOBAL ID：200903058032939671

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 竹内 健 ,  細野 浩司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-239238
公開番号（公開出願番号）：特開2000-076878
出願日： 1998年08月25日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】 用途に応じて最適のデータ書き込み/消去条件を選択できるようにした不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 メモリセルアレイ101、読み出しデータをセンスし書き込みデータをラッチするセンスアンプ兼データラッチ102、メモリセルアレイ101メモリセル選択を行うロウデコーダ104及びカラムデコーダ103、メモリセルアレイ101の選択されたメモリセルに昇圧された書き込み電圧Vpgmを与えてしきい値電圧を変動させるためのVpgm発生回路108を有し、書き込み電圧Vpgmを初期値から順次ステップアップされるパルス電圧として選択されたメモリセルに供給するためにそのステップアップ分を可変設定するための電圧設定回路112を備えた。

請求項（抜粋）：

電気的書き換えが可能で且つデータを不揮発に記憶するメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置において、第1の書き換え時間で前記メモリセルのデータ書き込み又はデータ消去を行う第1の動作モードと、第1の書き換え時間と異なる第2の書き換え時間でメモリセルのデータ書き込み又はデータ消去を行う第2の動作モードと、これらの第1及び第2の動作モードのいずれかを選択するモード選択手段と、を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 16/04 ,  G11C 16/06 ,  G11C 16/02

FI (3件)：

G11C 17/00 622 E ,  G11C 17/00 634 G ,  G11C 17/00 641

Fターム (7件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD10 ,  5B025AE08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体集積回路及びデータ処理システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-258215   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-040935   出願人：株式会社東芝
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-344152   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社